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此前有消息表明，三星可能會(huì)在今年上半年開始量產(chǎn)第三代4納米芯片，將會(huì)針對(duì)4nm工藝做出全方位改進(jìn)，性能、功耗方面均有不小提升。最新消息顯示，三星4nm芯片制程良率已經(jīng)改善，達(dá)到了接近5nm的水準(zhǔn)，而下一代4nm制程工藝將提供更高的良率。

去年年中，三星宣布全球首發(fā)3nm制程工藝，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構(gòu)，能極大改善芯片的功率以及效率。與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時(shí)減少16%的面積。三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會(huì)應(yīng)用于高性能、低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并計(jì)劃拓展到移動(dòng)處理器。

三星電子的3nm芯片采用GAA架構(gòu)通過降低電源電壓和增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機(jī)處理器的半導(dǎo)體芯片中也應(yīng)用過納米片晶體管，與納米線技術(shù)相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調(diào)整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標(biāo)。

雖然目前3nm工藝是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，包括臺(tái)積電也在沖擊3nm工藝，但4nm和5nm仍為時(shí)下主流工藝。在5nm時(shí)代，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺(tái)積電，而由臺(tái)積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個(gè)方面都遠(yuǎn)超三星5nm工藝的驍龍8，這主要是因?yàn)槿堑?nm工藝對(duì)比臺(tái)積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。

尤其是在去年，三星首次推出4nm制程工藝，但由于初期良率不高，業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，三星當(dāng)時(shí)4nm工藝的良品可達(dá)到60%，臺(tái)積電卻高達(dá)70%-80%。這也導(dǎo)致部分用戶轉(zhuǎn)投臺(tái)積電，其中就包括高通。如今三星在4nm工藝制程方面取得明顯進(jìn)步，不管是良品率還是產(chǎn)能都有不小提升，甚至三星還在社交媒體宣布，其4nm工藝的良率接近5nm工藝水平，同時(shí)有希望進(jìn)一步提升。

隨著三星4nm工藝進(jìn)步，三星也重新獲得客戶青睞，其中就包括谷歌和AMD，尤其是谷歌委托三星電子生產(chǎn)將搭載在Pixel 8系列上的Tensor 3芯片。目前三星在4nm工藝制程方面已經(jīng)重新追趕上臺(tái)積電，靠著3nm技術(shù)的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，或許在之后能夠再次迸發(fā)出驚人的生命力，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來一場(chǎng)變革。