RF GaN器件在電信基礎(chǔ)設(shè)施中加速采用,特別是5G應(yīng)用為GaN-on-Si打開(kāi)了新的機(jī)遇。據(jù)Yole Intelligence預(yù)計(jì),在電信和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)下,到2028年RF GaN器件市場(chǎng)將達(dá)到27億美元。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)還有5年時(shí)間,我們來(lái)看看這段時(shí)間RF GaN市場(chǎng)將要經(jīng)歷一些怎樣的變化?
(資料圖片)
RF GaN:電信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)漲
RF GaN的領(lǐng)導(dǎo)廠商包括SEDI、Qorvo、Wolfspeed、恩智浦……正在為到2028年實(shí)現(xiàn)近30億美元的市場(chǎng)鋪平道路。
在電信基礎(chǔ)設(shè)施中,GaN以其高功率和高頻性能優(yōu)勢(shì)滲透到了各種基站中。隨著宏/微基站從RRH(射頻拉遠(yuǎn)頭)向AAS(有源天線系統(tǒng))的轉(zhuǎn)變,大規(guī)模MIMO(多進(jìn)多出)需要每個(gè)基站更多的PA(功放)單元。
與LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)相比,在3GHz以上頻率下更高的PAE(功率附加效率)和更寬的頻帶能力是GaN增長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。到2028年,基于GaN的電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)13億美元,占總市場(chǎng)的近45%。預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到27億美元,2022年至2028年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為12%。
2022-2028年RF GaN器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Yole Intelligence專(zhuān)門(mén)研究化合物半導(dǎo)體和新興材料的技術(shù)和市場(chǎng)分析師Aymen Ghorbel表示:“截至2023年,GaN-on-SiC仍然是RF GaN的主要平臺(tái),因?yàn)楣?yīng)鏈已經(jīng)得到了很好的發(fā)展。然而,IDM是首選的商業(yè)模式,因?yàn)镮DM可以從電信和國(guó)防市場(chǎng)的現(xiàn)有客戶(hù)渠道中受益?!?/p>
從市場(chǎng)看,全球SiC晶圓市場(chǎng)仍由Wolfspeed、Coherent和天岳先進(jìn)三大供應(yīng)商共享。排名前三的器件廠商穩(wěn)定性很好,2022年,SEDI(日本住友電工)、Qorvo和Wolfspeed在RF GaN器件業(yè)務(wù)領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先,而恩智浦通過(guò)進(jìn)入電信市場(chǎng)的供應(yīng)鏈獲得了顯著增長(zhǎng)。
此IDM非彼IDM
Yole Intelligence發(fā)布的年度RF GaN報(bào)告認(rèn)為,電信和國(guó)防是RF GaN的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。其中的IDM并不是我們理解的供應(yīng)鏈中的垂直整合模式,而是綜合國(guó)防制造商(integrated defense manufacturer)首選的商業(yè)模式,因?yàn)镮DM可以從電信和國(guó)防市場(chǎng)的現(xiàn)有客戶(hù)渠道中受益。
作為傳統(tǒng)的GaN市場(chǎng),國(guó)防部門(mén)是RF GaN的主要驅(qū)動(dòng)因素之一,因?yàn)镚aN-on-SiC仍然是在國(guó)防雷達(dá)、電子戰(zhàn)和國(guó)防通信應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高要求應(yīng)用的主要平臺(tái)。
在國(guó)防領(lǐng)域,雷神公司(Raytheon Company)、諾斯羅普·格魯曼(Northrop Grumman)和中國(guó)電科公司在GaN的采用方面處于領(lǐng)先地位。美國(guó)國(guó)防部信任的Wolfspeed和Qorvo也是GaN的代工廠。
2022年RF GaN器件玩家排名前四
圍繞電信市場(chǎng)的供應(yīng),愛(ài)立信和諾基亞繼續(xù)從多家器件供應(yīng)商那里擴(kuò)大RF GaN器件的供應(yīng),而三星則與韓國(guó)器件制造商密切合作。自美國(guó)制裁以來(lái),華為和中興已轉(zhuǎn)向中國(guó)供應(yīng)鏈發(fā)展國(guó)內(nèi)能力。
從2018年開(kāi)始,中國(guó)就有許多企業(yè)涌入了芯片賽道,業(yè)務(wù)涉及指令集架構(gòu)、芯片研發(fā)、芯片生產(chǎn)、芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝、半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)和芯片材料等諸多領(lǐng)域,假以時(shí)日中國(guó)有望擺脫對(duì)國(guó)際供應(yīng)鏈的依賴(lài),形成國(guó)內(nèi)自循環(huán)。
GaN-on-SiC還是GaN-on-Si?
RF GaN-on-SiC器件可應(yīng)用于5G宏基站、衛(wèi)星通信、微波雷達(dá)、航空航天等軍事/民用領(lǐng)域;GaN-on-Si可制成功率器件,在大功率快充、新能源車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速滲透;GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN可制成光電器件,GaN光電器件在miniLED、MicroLED、傳統(tǒng)LED照明領(lǐng)域應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯。
從性能看,GaN-on-SiC更好,但其價(jià)格高于GaN-on-Si。GaN-on-SiC具有SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性及GaN的高功率密度、低損耗特點(diǎn)。與Si相比,SiC還是一種非?!昂纳ⅰ钡囊r底,有助于基板上的器件在高壓和高漏極電流下運(yùn)行,隨著射頻功率提升結(jié)溫緩慢升高,是射頻應(yīng)用的理想材料。
在相同耗散條件下,SiC器件的可靠性和壽命更好。另外,SiC具有高電阻,有利于毫米波傳輸,特別是高頻MMIC。因此,目前業(yè)界多數(shù)商用RF GaN器件都采用GaN-on-SiC襯底。不過(guò),SiC襯底尺寸仍局限于4英寸和6英寸,8英寸還有待商用。
GaN-on-SiC和GaN-on-Si應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)
GaN-on-Si的最大優(yōu)勢(shì)是襯底成本低,生長(zhǎng)速度較快,晶圓容易擴(kuò)展到8英寸。雖然GaN-on-Si性能較GaN-on-SiC有一點(diǎn)差異,但采用目前工藝制造的器件已能在高于2GHz頻率條件下滿(mǎn)足LDMOS功率密度要求。另外,GaN-on-Si是硅基工藝,使GaN器件與CMOS工藝能很好地集成在一個(gè)芯片上,可以利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)。
電信業(yè)新機(jī)遇為RF GaN-on-Si打開(kāi)大門(mén)
從應(yīng)用發(fā)展角度來(lái)看,5G通信對(duì)RF器件的需求正在快速增長(zhǎng),需要大批量低成本的GaN射頻芯片,給GaN-on-Si提供了發(fā)展機(jī)會(huì)。事實(shí)上,由于5G基站的安裝增加,RF GaN-on-SiC重新獲得了發(fā)展勢(shì)頭,同時(shí)GaN-on-Si領(lǐng)域也發(fā)生了重大收購(gòu)。
5G電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)仍然主導(dǎo)并推動(dòng)著RF GaN市場(chǎng)。自2022年第四季度以來(lái),Qorvo和Wolfspeed等器件市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者宣布收入放緩。然而,與硅LDMOS相比,我們?nèi)匀活A(yù)計(jì)RF GaN-on-SiC器件將被用于電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng),這主要是由印度在H2-2023年和2024年的投資推動(dòng)的。
與此同時(shí),GaN-on-Si技術(shù)仍在由生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā),主要由英飛凌、MACOM和意法半導(dǎo)體等領(lǐng)先企業(yè)以及GlobalFoundries、UMC等代工廠推動(dòng)??梢灶A(yù)計(jì),到2028年,RF GaN市場(chǎng)將超過(guò)20億美元,主要受5G電信基礎(chǔ)設(shè)施的推動(dòng)。
2021-2025年按細(xì)分市場(chǎng)劃分的RF GaN器件市場(chǎng)收入(單位:百萬(wàn)美元)
Yole集團(tuán)旗下Yole Intelligence專(zhuān)門(mén)研究化合物半導(dǎo)體和新興襯底的高級(jí)技術(shù)和市場(chǎng)分析師Poshun Chiu認(rèn)為:“截至2023年,主流的GaN技術(shù)都是在SiC襯底上。該技術(shù)已經(jīng)很成熟,在高功率和高頻率下表現(xiàn)出良好的性能。過(guò)去幾年,意法半導(dǎo)體與MACOM、Ommic、英飛凌以及GlobalFoundries和UMC等代工廠一直在致力于引入RF GaN-on-Si技術(shù)。由于電信小型基站需要功率較低的PA,GaN-on-Si可以在低于10W的32T32R和64T64R mMIMO基站中找到最佳位置。我們預(yù)計(jì)GaN-on-Si將從2023年底開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng),并在未來(lái)幾年占據(jù)市場(chǎng)份額?!?/p>
截至2023年,RF GaN在電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的滲透率
2022年5月,意法半導(dǎo)體和MACOM宣布成功生產(chǎn)出RF GaN-on-Si原型晶圓和器件,實(shí)現(xiàn)了成本和性能目標(biāo),可有效與市場(chǎng)上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。
意法半導(dǎo)體功率晶體管總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁Edoardo Merli表示:“我們相信,該技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了性能和工藝成熟度,可以為包括無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施在內(nèi)的大批量應(yīng)用提供有吸引力的成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)?!?/p>
2023年全球GaN-on-Si供應(yīng)鏈能力
今年3月,英飛凌以8.3億美元收購(gòu)了GaN Systems,并斥資20億歐元擴(kuò)充其馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫晶圓廠的GaN芯片產(chǎn)能。英飛凌預(yù)測(cè),到2027年GaN芯片市場(chǎng)將以每年56%的速度增長(zhǎng)。
中國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)還處于起步階段,材料企業(yè)有三安光電、英諾賽科、士蘭微、蘇州能訊、江蘇能華、大連芯冠等。芯片設(shè)計(jì)主要有華為海思、安譜隆等。海威華芯和三安集成則可提供GaN晶圓代工服務(wù)。
在襯底材料方面,天岳先進(jìn)、三安光電、天科合達(dá)、英諾賽科等中國(guó)本土企業(yè)的全球市占率在10%左右,三安光電、英諾賽科等重點(diǎn)研發(fā)基站用RF GaN-on-Si和功率芯片。外延片代表企業(yè)有蘇州晶湛、聚能晶源和聚燦光電。海威華芯、三安集成和華進(jìn)創(chuàng)威等開(kāi)始涉足GaN射頻HEMT相關(guān)專(zhuān)利。
長(zhǎng)期以來(lái),RF功率技術(shù)LDMOS主導(dǎo)了早期RF功率放大器。對(duì)于這些RF功率放大器,GaN可以提供比LDMOS更高的RF特性和顯著更高的輸出功率,而RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。
事實(shí)上,雖然GaN既可以在硅晶圓上制造,也可以在SiC晶圓上制造,但RF GaN-on-SiC終究不是一種主流半導(dǎo)體制造工藝,還要考慮和高功率應(yīng)用爭(zhēng)奪SiC晶圓,這些都可能會(huì)導(dǎo)致其成本更加昂貴。而意法半導(dǎo)體和MACOM正在開(kāi)發(fā)的GaN-on-Si技術(shù)有望通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝流程的集成提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和巨大的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。
隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展,開(kāi)發(fā)Ku/K/Ka頻段平臺(tái)的器件制造商開(kāi)始瞄準(zhǔn)亞太赫茲(Sub-THz)頻率0.1μm以下節(jié)點(diǎn)和未來(lái)潛在的6G市場(chǎng)。RF應(yīng)用的新興GaN-on-Si平臺(tái)的目標(biāo)在于,通過(guò)在較低功率水平利用效率和寬帶寬來(lái)實(shí)現(xiàn)低于6GHz的小基站。不過(guò),考慮到改變手機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,這只是GaN-on-Si的長(zhǎng)期目標(biāo)市場(chǎng)。
GaN-on-Si將變得炙手可熱
多年來(lái),RF GaN因其在功率放大器級(jí)的卓越性能而廣泛應(yīng)用于4G基站,與此同時(shí),國(guó)防應(yīng)用不斷擴(kuò)大軍事雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)中對(duì)RF GaN-on-SiC的需求。不過(guò),隨著美國(guó)對(duì)華為的禁令、新冠疫情的影響以及基站部署的放緩,RF GaN在2021年面臨了調(diào)整。
截至2023年,制造商也在加快GaN在其系統(tǒng)中的應(yīng)用,以促進(jìn)5G部署的復(fù)蘇。除了GaN-on-SiC,GaN-on-Si正變得越來(lái)越成熟,新的合作伙伴關(guān)系正在形成。從2023年起,該行業(yè)將發(fā)生一些明顯的變化,包括器件廠商SEDI、Wolfspeed、Qorvo和恩智浦,以及晶圓和外延廠商Wolfspeed、IQE、Coherent和天岳先進(jìn)都可能給我們帶來(lái)一些驚喜。
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視焦點(diǎn)訊!西安兩園區(qū)入選2023年先進(jìn)制造業(yè)百?gòu)?qiáng)園區(qū) 高新區(qū)第12位 經(jīng)開(kāi)區(qū)第51位
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不斷加大交通強(qiáng)國(guó)建設(shè)力度 我國(guó)綜合立體交通網(wǎng)持續(xù)完善
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給電動(dòng)自行車(chē)安全停放加一道保險(xiǎn)
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愛(ài)笑的人也可能會(huì)有抑郁癥 這些問(wèn)題你需要知道
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當(dāng)前看點(diǎn)!重慶萬(wàn)州洪澇地質(zhì)災(zāi)害已致17人死亡、2人失蹤
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新能源車(chē)遭遇充電“瓶頸” “新神器”破解車(chē)主“續(xù)航焦慮”
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怎么看,怎么辦——新華社五論中美關(guān)系
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對(duì)話兩年被家暴16次女子:望重判 害怕他出來(lái)那天是我的死期_環(huán)球頭條
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環(huán)球頭條:山西高速禁止特斯拉上路?回應(yīng):因有一輛特斯拉需排查
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“七七事變”86周年!勿忘國(guó)恥,吾輩自強(qiáng)!
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山西公交事故致4人死亡 附近居民:遇難人員均為學(xué)生
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瀏陽(yáng)“全BA” 超燃開(kāi)賽
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楚喬傳一共多少集大結(jié)局_楚喬傳一共多少集|看熱訊
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白云機(jī)場(chǎng):融資凈買(mǎi)入173.34萬(wàn)元,融資余額2.29億元(07-06)
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湖南大力推廣使用新能源公車(chē) 在長(zhǎng)省直單位及長(zhǎng)株潭市直、區(qū)直單位新能源汽車(chē)占比不低于80%
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“小畫(huà)家”解鎖美術(shù)館避暑新體驗(yàn)
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當(dāng)前播報(bào):高溫天氣或?qū)⒊掷m(xù)至本周末
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7月5日盤(pán)前重要公司新聞
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“七下八上”防汛關(guān)鍵期將至 全國(guó)各地積極應(yīng)對(duì)
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傳奇游戲無(wú)敵版(傳奇西游3無(wú)敵版在線玩)
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今日小暑|倏忽溫風(fēng)至 因循小暑來(lái)
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環(huán)球?qū)崟r(shí):各水廠運(yùn)行平穩(wěn)滿(mǎn)足高峰用水需求
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“泰坦”號(hào)潛水器運(yùn)營(yíng)公司宣布暫停運(yùn)營(yíng)
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喜茶奈雪,扎堆小縣城
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?察股觀經(jīng)/中國(guó)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型進(jìn)入關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)\中泰證券首席經(jīng)濟(jì)學(xué)家李迅雷
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重慶警方破獲一生產(chǎn)銷(xiāo)售有毒有害減肥食品案 涉及全國(guó)20余個(gè)省市
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金融監(jiān)管總局:擴(kuò)大適用個(gè)稅優(yōu)惠政策的商業(yè)健康保險(xiǎn)范圍